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ATLANT 3D fertigt mit atomar präziser DALP®-Abscheidetechnologie Mikro- und Nanobauteile für Mikroelektronik und Photonik
ATLANT 3D
Standort nicht angegebenNeu auf Amplifa
Über ATLANT 3D
ATLANT 3D ist ein Unternehmen für atomar präzise, fortschrittliche Fertigung, das digitale und atomar präzise Prozessverfahren entlang der gesamten Mikroelektronik-Wertschöpfungskette bereitstellt. Kern ist die firmeneigene DALP®-Technologie (Direct Atomic Layer Processing), eine mikreaktorbasierte Abscheidetechnologie mit atomarer Präzision, die über 450 Materialien verarbeiten kann – darunter Silicium, Gallium, Indium, Germanium und Kupfer. Das Leistungsportfolio reicht von der fortschrittlichen Materialforschung über das Prototyping von Mikro- und Nanobauelementen (MEMS/Sensoren, Mikrofluidik, RF-, optische und photonische Geräte) bis zur skalierbaren Fertigung. Für Forschung und Industrie bietet ATLANT 3D die NANOFABRICATOR™-Produktserie an: LITE für Akademie und Forschung (Probengröße bis 100 mm, Linienbreiten ab 100 µm, Abscheiderate bis 200 mm/s, bis zu zwei Materialien gleichzeitig), PRO für industrielle F&E sowie ZERO-G. Die Technologie arbeitet abfallarm und chemikalienreduziert und ist kompatibel mit Standards der Halbleiterindustrie. Anwendungsgebiete sind Optik & Photonik, Sensoren & MEMS, Advanced Packaging & Halbleiterfertigung, Biotechnologie & Medizintechnik, Energietechnik sowie RF & Printed Electronics.
- Standort
- Standort nicht angegeben
- Verfahren
- DALP® – Direct Atomic Layer Processing (atomare Materialdeposition), Mikro- und Nanodevices-Prototyping (MEMS, Mikrofluidik, RF-, optische/photonische Geräte), Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen (ACES-Projekt), Innovation Services, Atomically precise material deposition (DALP®), Prototyping von Mikro- und Nanodevices, Skalierbare Fertigung
- Werkstoffe
- Silicon, Gallium, Indium, Germanium, Kupfer (für Solarzellen-Metallisierung), Silber (zu ersetzendes Referenzmaterial Solarzellen-Metallisierung), Direct Atomic Layer Processing, Silicium
- Branchen
- Optik & Photonik, Sensoren & MEMS, Advanced Packaging & Halbleiterfertigung, Biotechnologie & Medizintechnik, Energietechnik (Batterien, Brennstoffzellen, Katalyse), RF & Printed Electronics
- 01
Materialforschung (Advanced Materials R&D)
- 02
DALP®-atomare Materialabscheidung
- 03
Prototyping von Mikro- und Nanobauelementen
- 04
Skalierbare Fertigung
- 05
Anwendungsspezifische Integration (Optik, Photonik, MEMS/Sensoren)
Werkstoffe und Verfahren
Direct Atomic Layer Processing
Mikreaktorbasierte Abscheidetechnologie mit atomarer Präzision für Mikroelektronik und Photonik, verarbeitet über 450 Materialien.
Silicium
Halbleiterwerkstoff für Mikroelektronik und Solarzellen-Anwendungen wie Edge Passivation.
Gallium
Verarbeitbarer Werkstoff der DALP®-Technologie, u. a. für Compound-Halbleiter.
Indium
Verarbeitbarer Werkstoff der DALP®-Technologie für Mikro- und Nanobauelemente.
Germanium
Verarbeitbarer Werkstoff der DALP®-Technologie für Halbleiter- und Photonikanwendungen.
Kupfer
Werkstoff für Metallisierung von Solarzellen als Ersatz für Silber.
Standorte
Standort nicht angegeben
Entwicklung und Fertigung NANOFABRICATOR-Serie
- Werkstoffe
- über 450 Materialien (DALP®)
- NANOFABRICATOR™ LITE
- NANOFABRICATOR™ PRO
- NANOFABRICATOR® ZERO-G
Bauteile und Anwendungen
Einblicke in die Fertigung
Branchen
Verfahren & technische Grenzen
| Verfahren | Toleranz | Max. Bauteil | Gewicht | Losgröße | Werkstoffe |
|---|---|---|---|---|---|
| DALP® – Direct Atomic Layer Processing (atomare Materialdeposition)Additiv | atomare Präzision (Details nicht angegeben) | Sample size up to 100 mm | – | – | über 450 Materialien verarbeitbar, Silicium, Gallium, Indium, Germanium, Kupfer |
| Mikro- und Nanodevices-Prototyping (MEMS, Mikrofluidik, RF-, optische/photonische Geräte)Engineering | Line Width down to 100 µm (NANOFABRICATOR LITE) | 100 mm | – | – | – |
| Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen (ACES-Projekt)Oberfläche | – | – | – | – | Silicium, Kupfer (Silber-Substitution in Metallisierung) |
3 Anlagen & Maschinen
| Maschine | Hersteller / Modell | Anzahl | Arbeitsraum | Baujahr | Standort |
|---|---|---|---|---|---|
| NANOFABRICATOR™ LITE (atomares Abscheidewerkzeug für Forschung/Akademie) | ATLANT 3D NANOFABRICATOR LITE | – | Sample size up to 100 mm; Line Width down to 100 µm; Deposition speed up to 200 mm/s; bis zu 2 | – | – |
| NANOFABRICATOR™ PRO (Industrielles R&D-Werkzeug) | ATLANT 3D NANOFABRICATOR PRO | – | – | – | – |
| NANOFABRICATOR® ZERO-G | ATLANT 3D NANOFABRICATOR ZERO-G | – | – | – | – |
Zusatzleistungen
Historie
- 2024
Start des EU-geförderten Projekts ACES (Horizon Europe, Budget 3,5 Mio. EUR) im April 2024, u. a. zur Edge Passivation für hocheffiziente Solarzellen.
- 2024
Start des EU-geförderten Projekts CLOSER (Horizon Europe, Budget 14 Mio. EUR) im Oktober 2024 zum Aufbau einer europäischen Kreislaufwirtschaftslieferkette für Halbleiterrohstoffe.